科目名  半導体デバイス
          
  
2 単位  
 
 
4 年  
前期 
選択 
教員名  村山 和郎 
授業テーマ
半導体の物性とその応用 
授業のねらい・到達目標
半導体のバンド理論を理解し、それに基づいて半導体の物性を学習する。さらに半導体物性を高度に応用したデバイスの原理について学ぶ。 
授業の方法
ゼミ形式で学習する。 
事前学習・授業計画コメント
予習と復習をすること。次の講義の理解が容易になるので特に復習が重要です。 
授業計画
1
授業計画について説明する。 
2
オームの法則と半導体 
3
シリコンと導電率制御 
4
電界中と磁界中の電子の運動 
5
拡散による電子の運動 
6
エネルギー準位、電子配置そして共有結合 
7
エネルギー帯そしてシリコンのエネルギー帯 
8
演習 
9
真性半導体と不純物半導体のエネルギー帯 
10
ドナー準位とアクセプター準位 
11
波数空間でのエネルギー帯と電気伝導 
12
エネルギー帯における電子の分布、フェルミ分布関数 
13
真性半導体のフェルミ準位と電子分布 
14
不純物半導体のフェルミ分布と電子分布 
15
演習とまとめ 
その他
教科書
小林敏志、金子双男、加藤景三  『基礎半導体工学』  コロナ社
 
参考書
名取晃子  『半導体物性 (電子工学初歩シリーズ8)』  倍風館
 
成績評価の方法
及び基準
平常点(50%) 、 授業参画度(50%)