科目名  相関理化学特論I
          
  
2 単位  
 
相関理化学専攻  
前期課程  
前期 
選択必修 
教員名  楠 勲 
授業テーマ
真空技術、プラズマ、半導体プロセス、固体表面分析など 
授業のねらい・到達目標
実社会における生産プロセスでは,物理とか化学とかの区別することなく,広範な知識と多様な技術が必要である。本講義では,半導体製造プロセスで重要な真空、プラズマ科学,エッチング,蒸着などと共に,固体物理の基礎、半導体p-n接合、トランジスターの動作原理と製法について述べる。 
授業の方法
授業内容をプリントで配布し、説明をする。プロジェクターを使用する事もある。 
事前学習・授業計画コメント
気体運動論、気体プラズマ、固体物理の知識を事前に復習しておくことが望ましい。 
授業計画
1
素粒子、原子核、放射線、電磁波、原子力エネルギーなどについて簡単に概説する。 
2
真空と気体運動論 
3
真空の作成 
4
圧力(真空)測定、気体分子の質量分析 
5
気体プラズマの発生 
6
気体プラズマと固体表面と相互作用 
7
物理蒸着,化学蒸着,気相からの結晶成長 
8
固体表面の観測および分析 
9
固体表面と触媒作用 
10
固体物理の基礎 Ⅰ 
11
固体物理の基礎Ⅱ 
12
仕事関数、接触電位差、電池 
13
半導体p-n接合、トランジスター、発光素子 
14
ICの製造法 
15
半導体加工技術の応用:マイクロマシン(MEMS)、各種センサー 
その他
成績評価の方法
及び基準
レポート(20%) 、 授業参画度(80%)