科目名  複雑系科学特論II
          
  
2 単位  
 
相関理化学専攻  
前期課程  
後期 
選択 
教員名  村山 和郎 
授業テーマ
アモルファス半導体を代表するアモルファスシリコンの電子過程の物理をフラクタルを用いて講義する。 
授業のねらい・到達目標
太陽電池や薄膜トランジスタとして広く用いられているアモルファスシリコンの物理を理解し、応用に役立てられる基礎知識を習得させる。 
授業の方法
板書とプロジェクターを用いて分かりやすく講義する。 
授業計画
1
アモルファス半導体の構造 
2
電気的、光学的性質とバンド構造 
3
アモルファス半導体特有の発光特性とバンドテイルの局在性 
4
アモルファス半導体の移動度端と基礎吸収端スペクトル 
5
アモルファス半導体特有の分散型電気伝導 
6
分散型電気伝導のモデル、マルティプルトラッピングモデルとホッピングモデル  
7
アモルファスシリコンの構造の不均一性とプロトンNMR 
8
ポッピングパスのモデル化(1)
パーコレーション過程 
9
ポッピングパスのモデル化(2)
フラクタル 
10
ポッピングパスのモデル化(3)
フラクタル 
11
ホッピングによる分散型電気伝導のモンテカルロシミュレーション 
12
アモルファスシリコンの発光中心 
13
シリコンナノ構造の量子サイズ効果 
14
アモルファスシリコンの発光中心のシリコンナノ構造モデル 
15
まとめ 
その他
成績評価の方法
及び基準
平常点(50%) 、 レポート(30%) 、 授業参画度(20%)
コメント[ノート提出を求めることがある。これとレポートなどで成績評価をする。]
オフィスアワー
火曜日、午後1時半より