相関理化学特論I

授業テーマ	真空技術、プラズマ、半導体プロセス、固体表面分析など
授業のねらい・到達目標	実社会における生産プロセスでは，物理とか化学とかの区別することなく，広範な知識と多様な技術が必要である。本講義では，半導体製造プロセスで重要な真空、プラズマ科学，エッチング，蒸着などと共に，固体物理の基礎、半導体p-n接合、トランジスターの動作原理と製法について述べる。
授業の方法	授業内容をプリントで配布し、説明をする。プロジェクターを使用する事もある。
事前学修・事後学修，授業計画コメント	気体運動論、気体プラズマ、固体物理の知識を事前に復習しておくことが望ましい。

授業計画
1	素粒子、原子核、放射線、電磁波、原子力エネルギーなどについて簡単に概説する。
2	真空と気体運動論
3	真空の作成
4	圧力（真空）測定、気体分子の質量分析
5	気体プラズマの発生
6	気体プラズマと固体表面と相互作用
7	物理蒸着，化学蒸着，気相からの結晶成長
8	固体表面の観測および分析
9	固体表面と触媒作用
10	固体物理の基礎 Ⅰ
11	固体物理の基礎Ⅱ
12	仕事関数、接触電位差、電池
13	半導体p-n接合、トランジスター、発光素子
14	ICの製造法
15	半導体加工技術の応用：マイクロマシン（MEMS）、各種センサー

その他
成績評価の方法及び基準	レポート(20%)、授業参画度(80%)