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科目名 平成28年度入学者 |
複雑系科学特論Ⅱ | ||||
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科目名 平成27年度以前入学者 |
複雑系科学特論Ⅱ | ||||
教員名 | 村山 和郎 | ||||
単位数 | 2 | 課程 | 前期課程 | 開講区分 | 文理学部 |
科目群 | 相関理化学専攻 | ||||
学期 | 後期 | 履修区分 | 選択 |
授業テーマ | 複雑な構造をもつ非結晶質(アモルファス)半導体の物性について講義する。 |
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授業のねらい・到達目標 | 結晶半導体、特に、シリコン結晶半導体は詳細に研究され、トランジスタとその集積回路はさまざまなデバイスに用いられている。その物性も広く知られている。しかしながら、非結晶質(アモルファス)シリコンは、すでに薄膜トランジスタ(TFT)や太陽電池として用いられているにもかかわらず、その物性はよく知られていない。アモルファスシリコンの基礎物性とその物理を講義し、その理解を深めることがねらいである。 |
授業の方法 | 板書とプロジェクタを用いて講義する。必要に応じてプリントを配布する。 |
事前学修・事後学修,授業計画コメント | 事後学習はしてほしい。 |
授業計画 | |
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1 | ガイダンス |
2 | 結晶のエネルギーバンド(1) |
3 | 結晶のエネルギーバンド(2) |
4 | 結晶の光吸収スペクトル |
5 | 構造の乱れたアモルファス半導体のエネルギーバンドと光吸収スペクトル |
6 | フェルミ準位付近の電気伝導(バリアブルレンジホッピング) |
7 | バンドテイルの電気伝導の実験(電子のタイムーオブーフライト実験) |
8 | 局在化したバンドテイルと移動度端 |
9 | バンドテイルの電気伝導、ホッピングモデル |
10 | 乱れた構造のフラクタル次元 |
11 | フラクタル構造中の電子のランダムウォーク |
12 | アモルファスシリコンの発光 |
13 | ナノ薄膜アモルファスシリコンの光物性 |
14 | 課題学習 |
15 | まとめ |
その他 | |
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成績評価の方法及び基準 | 平常点(20%)、レポート(40%)、授業内テスト(10%)、授業参画度(30%) |
オフィスアワー | 授業終了後 |